×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
上海微系统与信息技术... [2]
高能物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [3]
学科主题
Physics [3]
Applied [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
发表日期:2009
学科主题:Physics
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2O3 films for memristor applications
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 106, 期号: 7, 页码: 73723
Cao, X
;
Li, XM
;
Gao, XD
;
Yu, WD
;
Liu, XJ
;
Zhang, YW
;
Chen, LD
;
Cheng, XH(重点实验室)
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2013/05/10
Physics
Applied
Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2O3 films for memristor applications
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 106, 期号: 7, 页码: 73723-73723
Cao,X
;
Li,XM
;
Gao,XD
;
Yu,WD
;
Liu,XJ
;
Zhang,YW
;
Chen,LD
;
Cheng,XH
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/03/24
NONVOLATILE MEMORY
RESISTANCE
TRANSITION
SRTIO3
RECENT RESULTS FROM BESII J/psi DECAYS
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS A, 2009, 卷号: 24, 期号: 2-3, 页码: 428-433
作者:
Li, XL
;
Ablikim, M
;
Bai, JZ
;
Bai, Y
;
Ban, Y
收藏
  |  
浏览/下载:135/0
  |  
提交时间:2016/06/28
Threshold enhancement
final states interference
baryon exited states
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace