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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SiGe衬底离子注入模拟研究 期刊论文 半导体技术, 2008 李强; 乔颖; 杨杰; 于民; 王金延; 黄如; 张兴 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 锗硅  离子注入  分子动力学  模拟   SiGe衬底离子注入模拟研究 其他 2008-01-01 李强; 乔颖; 杨杰; 于民; 王金延; 黄如; 张兴 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 锗硅  离子注入  分子动力学  模拟   适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究 期刊论文 中国科学. E辑， 技术科学, 2008 黄如; 田豫; 周发龙; 王润声; 王逸群; 张兴 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 纳米CMOS器件  双栅器件  围栅器件   32nm及其以下技术节点CMOS技术中的新工艺及新结构器件 期刊论文 中国科学. E辑， 技术科学, 2008 王阳元; 张兴; 刘晓彦; 康晋锋; 黄如 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/12/03 集成电路  纳米尺度  金属栅/高k栅介质  超薄体  器件  准弹道输运  SOI   锗硅衬底离子注入模拟研究 其他 2008-01-01 李强; 乔颖; 杨杰; 于民; 王金延; 黄如; 张兴 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 锗硅衬底 离子注入模拟 分子动力学 SIMS数据