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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2004     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125 作者:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘新宇;  刘键 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26 高电子迁移率晶体管  氮化镓  场效应晶体管  Rf—mbe   Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125 Wang Xiaoliang; Hu Guoxin; Wang Junxi; Liu Xinyu; Liu Hongxin; Sun Dianzhao; Zeng Yiping; Qian He; Li Jinmin; Kong Meiying; Lin Lanying 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23