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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究 期刊论文
物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473
作者:  杨少延
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