半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法
杨君玲 ; 陈诺夫 ; 何家宏 ; 钟兴儒 ; 吴金良 ; 林兰英 ; 刘志凯 ; 杨少延 ; 柴春林
2003-03-12
专利类型发明
英文摘要Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:57:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/01124213.pdf: 252565 bytes, checksum: 01cac5483ca39689a9dc82fe6372f96d (MD5) Previous issue date:
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15
申请日期2001-08-15
语种中文
专利申请号CN01124213.2
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/2963]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
杨君玲,陈诺夫,何家宏,等. 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法. 2003-03-12.
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