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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2001    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 New threshold voltage shift model due to radiation in fully-depleted SOI MOSFET 期刊论文 tien tzu hsueh paoacta electronica sinica, 2001 Wan, Xin-Heng; Zhang, Xing; Tan, Jing-Rong; Gao, Wen-Yu; Huang, Ru; Wang, Yang-Yuan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/17 Gate oxide reliability degradation by post polysilicon annealing and suppression method 期刊论文 pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2001 Gao, Wen-Yu; Liu, Zhong-Li; Yu, Fang; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/17 Phenomenological MOSFET model including total dose radiation effects at a high total dose 期刊论文 pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2001 Wan, Xin-Heng; Zhang, Xing; Gao, Wen-Yu; Huang, Ru; Wang, Yang-Yuan 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/17 Electrical characteristics of 3-6nm ultra-thin gate oxide 期刊论文 pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2001 Gao, Wen-Yu; Zhang, Xing; Tian, Da-Yu; Zhang, Da-Cheng; Wang, Yang-Yuan 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/17