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科研机构
半导体研究所 [41]
内容类型
期刊论文 [33]
会议论文 [8]
发表日期
2000 [41]
学科主题
半导体材料 [11]
光电子学 [8]
半导体物理 [8]
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发表日期:2000
专题:半导体研究所
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Investigation on the origin of wurtzite domains in thick cubic gan using reactive ion etching
期刊论文
Thin solid films, 2000, 卷号: 372, 期号: 1-2, 页码: 25-29
作者:
Xu, D
;
Yang, H
;
Zhang, SM
;
Zheng, LX
;
Zhao, DG
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/05/12
Characteristics of circular waveguide photodetectors using sige/si multiple quantum wells
期刊论文
Optical materials, 2000, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 267-269
作者:
Li, C
;
Yang, QQ
;
Wang, HJ
;
Cheng, BW
;
Yu, JZ
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Circular waveguide photodetector
Responsivity
Quantum efficiency
Sige/si mqw
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic gan films on gaas(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240
作者:
Sun, XL
;
Wang, YY
;
Yang, H
;
Li, JB
;
Zheng, LX
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Metalorganic chemical vapor deposition
Cubic gan
Hexagonal phase content
4-circle x-ray double crystal diffraction
Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic gan grown on gaas(100) by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 279-282
作者:
Xu, DP
;
Yang, H
;
Li, JB
;
Li, SF
;
Zhao, DG
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Cubic gan
Buffer layer
Atomic force microscopy
Reflection high-energy electron diffraction
Observation of quantum-confined stark shifts in sige/si type-i multiple quantum wells
期刊论文
Journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 11, 页码: 8195-8197
作者:
Li, C
;
Yang, QQ
;
Wang, HJ
;
Wei, HZ
;
Yu, JZ
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Optical characterization of high-purity cubic gan grown on gaas (001) substrate by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 21, 页码: 3025-3027
作者:
Xu, DP
;
Yang, H
;
Li, JB
;
Zhao, DG
;
Li, SF
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Effect of buffer layer growth conditions on the secondary hexagonal phase content in cubic gan films on gaas(001) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 3-4, 页码: 397-401
作者:
Sun, XL
;
Yang, H
;
Wang, YT
;
Zheng, LX
;
Xu, DP
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Iii-v semiconductor mocvd rheed
Xrdcd
Strain and photoluminescence characterization of cubic (in,ga)n films grown on gaas(001) substrates
期刊论文
Journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 8, 页码: 3711-3714
作者:
Sun, XL
;
Wang, YT
;
Yang, H
;
Zheng, LX
;
Xu, DP
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Room-temperature optical transitions in mg-doped cubic gan/gaas(100) grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 4, 页码: 2064-2066
作者:
Xu, DP
;
Yang, H
;
Zhao, DG
;
Li, SF
;
Wu, RH
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Steady and transient optical properties of cubic ingan epilayers
期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 11-14
作者:
Xu, ZY
;
Liu, BL
;
Li, SF
;
Yang, H
;
Ge, WK
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/05/12
Ingan
Exciton localization
Time-resolved photoluminescence
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