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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing effect on the surface morphology and photoluminescence of InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 356-359 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 rapid thermal annealing  InGaAs/GaAs  quantum dots  molecular beam epitaxy  LUMINESCENCE  FABRICATION  GAAS(100)  INTERFACE  LASER  LAYER   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS