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| Current-confinement heterostructure for an epitaxial mode-confined vertical cavity surface emitting laser 专利 专利号: US20050249254A1, 申请日期: 2005-11-10, 公开日期: 2005-11-10 作者: DEPPE, DENNIS G. 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Apparatus and method for determining the active dopant profile in a semiconductor wafer 专利 专利号: EP1192444A1, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2002-04-03 作者: BORDEN, PETER, G.; NIJMEIJER, REGINA, G. 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半導体発光装置 专利 专利号: JP1995095616B2, 申请日期: 1995-10-11, 公开日期: 1995-10-11 作者: 棚橋 俊之 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| - 专利 专利号: JP1993009951B2, 申请日期: 1993-02-08, 公开日期: 1993-02-08 作者: HIGUCHI HIDEYO; NAMISAKI HIROBUMI; OOMURA ETSUJI; IKEDA KENJI; SAKAKIBARA YASUSHI 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| - 专利 专利号: JP1992006113B2, 申请日期: 1992-02-04, 公开日期: 1992-02-04 作者: YAMAMOTO SABURO; HAYASHI HIROSHI; KANEIWA SHINJI 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Manufacture of semiconductor laser 专利 专利号: JP1988301581A, 申请日期: 1988-12-08, 公开日期: 1988-12-08 作者: YOSHITOSHI KEIICHI; YONEDA KOJI 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Semiconductor light-emitting device 专利 专利号: JP1988261887A, 申请日期: 1988-10-28, 公开日期: 1988-10-28 作者: TANAHASHI TOSHIYUKI 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Manufacture of buried semiconductor laser element 专利 专利号: JP1988093184A, 申请日期: 1988-04-23, 公开日期: 1988-04-23 作者: YAMAMOTO SABURO 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Semiconductor laser array 专利 专利号: JP1988044785A, 申请日期: 1988-02-25, 公开日期: 1988-02-25 作者: YANO MORICHIKA; MATSUI KANEKI; TANETANI MOTOTAKA 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1988001092A, 申请日期: 1988-01-06, 公开日期: 1988-01-06 作者: KUME MASAHIRO; ITO KUNIO; SHIBUYA TAKAO 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18 |