已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉 收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉 收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平 收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平 收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法 专利 专利号: CN110137804A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16 作者: 刘恒; 王俊; 谭少阳; 荣宇峰; 曾冠澐 收藏  |  浏览/下载:31/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 一种用于制备蓝宝石衬底的GaN基半导体激光器腔面的方法 专利 专利号: CN103915757A, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09 作者: 王金翠; 沈燕; 张木青; 刘欢; 刘长江 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利 专利号: CN1933263A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 作者: 吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/18 |