| 一种用于制备蓝宝石衬底的GaN基半导体激光器腔面的方法 | |
| 王金翠; 沈燕; 张木青; 刘欢; 刘长江 | |
| 2014-07-09 | |
| 著作权人 | 山东华光光电子有限公司 |
| 专利号 | CN103915757A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种用于制备蓝宝石衬底的GaN基半导体激光器腔面的方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种用于制备蓝宝石衬底的GaN基半导体激光器腔面的方法。该方法是在外延片上生长SiO2或者SiNx掩膜层；在掩膜层上旋涂一层光刻胶进行曝光、显影得到需要的图形；采用ICP/RIE干法刻蚀的方法刻蚀外延层；再利用磷酸与硫酸混合的腐蚀液或氢氧化钾溶液腐蚀液湿法腐蚀的方法通过控制腐蚀液温度和腐蚀时间，将干法刻蚀形成的倒梯形腔面变成垂直的腔面，同时去除干法刻蚀形成的损伤层，制备出平整且垂直度比较高的腔面；再生长电流阻挡层、光刻、生长电极等完成芯片的制作过程；最后在蓝宝石的背面通过激光划片的方式将芯片解离成巴条。此方法操作简单，成本低。 |
| 公开日期 | 2014-07-09 |
| 申请日期 | 2013-01-04 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86267]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王金翠,沈燕,张木青,等. 一种用于制备蓝宝石衬底的GaN基半导体激光器腔面的方法. CN103915757A. 2014-07-09. |
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