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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface design and properties in InAs/GaSb type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy 会议论文 International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging:Infrared Imaging and Applications, Beijing, 2013-06-25 - 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/11/11 InAs/GaSb superlattice  migration-enhanced epitaxy  molecular beam epitaxy