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| 基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真 期刊论文 光学学报, 2019, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 42-48 作者: 林虹宇; 谢浩; 王洋; 陆宏波; 孙艳
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| 两种液相外延模式生长GaAs0.9Sb0.1薄膜的性能 期刊论文 激光与光电子学进展, 2017, 期号: 11, 页码: 332-336 作者: 谢浩; 胡淑红; 王洋; 黄田田; 潘晓航
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| 50mm×50mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术 期刊论文 红外与毫米波学报, 2017, 期号: 1, 页码: 49-53 作者: 孙权志; 孙瑞赟; 魏彦锋; 孙士文; 周昌鹤
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| 一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延方法 专利 专利号: 201510295832.5, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-06-27 作者: 1 王洋 2 胡淑红 3 吕英飞4戴宁
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| 一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法 专利 专利号: 201510295876.8, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-09-22 作者: 1 王洋 2 胡淑红 3 吕英飞4戴宁
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| 带势垒层结构的砷化铟热光伏电池的液相外延制备方法 专利 专利号: 201510296009.6, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-01-18 作者: 1 胡淑红 2 王洋 3吕英飞 4 孙艳 5 戴宁
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| 一种可连续生长多层膜的防止母液残留的液相外延石墨舟 专利 专利类型: 发明, 专利号: 201110355330.9, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06 1孙常鸿 2胡淑红 3王奇伟 4 邓惠勇 5 邱锋 6 吕英飞 7 郭建华 8 戴宁
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| 碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 201210142488.2, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06 1孙瑞贇 2杨建荣 3魏彦锋 4张传杰 5孙权志 6陈倩男 7张娟 8陈晓静
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| HgCdTe薄膜材料组分分布对器件响应光谱的影响 期刊论文 红外与毫米波学报, 2013, 卷号: 32, 期号: 3 崔宝双; 魏彦锋; 孙权志; 杨建荣
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| 一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 201310039596.1, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2015 -
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