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基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真 期刊论文
光学学报, 2019, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 42-48
作者:  林虹宇;  谢浩;  王洋;  陆宏波;  孙艳
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两种液相外延模式生长GaAs0.9Sb0.1薄膜的性能 期刊论文
激光与光电子学进展, 2017, 期号: 11, 页码: 332-336
作者:  谢浩;  胡淑红;  王洋;  黄田田;  潘晓航
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2018/11/20
50mm×50mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术 期刊论文
红外与毫米波学报, 2017, 期号: 1, 页码: 49-53
作者:  孙权志;  孙瑞赟;  魏彦锋;  孙士文;  周昌鹤
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一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延方法 专利
专利号: 201510295832.5, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-06-27
作者:  1 王洋 2 胡淑红 3 吕英飞4戴宁
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2017/12/12
一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法 专利
专利号: 201510295876.8, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-09-22
作者:  1 王洋 2 胡淑红 3 吕英飞4戴宁
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2017/12/12
带势垒层结构的砷化铟热光伏电池的液相外延制备方法 专利
专利号: 201510296009.6, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-01-18
作者:  1 胡淑红 2 王洋 3吕英飞 4 孙艳 5 戴宁
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一种可连续生长多层膜的防止母液残留的液相外延石墨舟 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201110355330.9, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06
1孙常鸿 2胡淑红 3王奇伟 4 邓惠勇 5 邱锋 6 吕英飞 7 郭建华 8 戴宁
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碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201210142488.2, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06
1孙瑞贇 2杨建荣 3魏彦锋 4张传杰 5孙权志 6陈倩男 7张娟 8陈晓静
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HgCdTe薄膜材料组分分布对器件响应光谱的影响 期刊论文
红外与毫米波学报, 2013, 卷号: 32, 期号: 3
崔宝双; 魏彦锋; 孙权志; 杨建荣
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2014/11/11
一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201310039596.1, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2015
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收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2016/05/07


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