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Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 17, 页码: 173105
作者:  Yang, J.;   Wang, B. B.;   Zhao, D. G.;   Liu, Z. S.;   Liang, F.;   Chen, P.;   Zhang, Y. H.;   Zhang, Z. Z.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2022/03/24
Hybrid-gate structure designed for high-performance normally-off p-GaN high-electron-mobility transistor 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 111001
作者:  Di Niu;   Quan Wang;   Wei Li;   Changxi Chen;   Jiankai Xu;   Lijuan Jiang;   Chun Feng;   Hongling Xiao;   Qian Wang;   Xiangang Xu;   Xiaoliang Wang
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/05/24
Systematic study of vertically aligned ZnO nanowire arrays synthesized on p-GaN substrate by hydrothermal method 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 59, 期号: 1, 页码: 015503
作者:  Shuo Zhang;   Yunyu Wang;   Fang Ren;   Tao Feng;   Rongqiao Wan;   Shuai Zhao;   Meng Liang;   Junxi Wang;   Jinmin Li;   Zhiqiang Liu;   Xiaoyan Yi
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2021/11/30
Suppression the formation of V-pits in InGaN/ GaN multi-quantum well growth and its effect on the performance of GaN based laser diodes 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2020, 卷号: 822, 页码: 153571
作者:  J. Yang ;  D.G. Zhao;   D.S. Jiang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   F. Liang;   S.T. Liu;   Y. Xing
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2021/06/17
Impact of graphene interlayer on performance parameters of sandwich structure Pt/GaN Schottky barrier diodes 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 40, 页码: 404003
作者:  J X Ran;   B Y Liu;   X L Ji;   A Fariza;   Z T Liu;   J X Wang;   P Gao;   T B Wei
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2021/05/24
Enhancing the performance of GaN based LDs by using low In content InGaN instead of GaN as lower waveguide layer 期刊论文
Optics and Laser Technology, 2019, 卷号: 111, 页码: 810-813
作者:  J. Yang ;   D.G. Zhao ;  D.S. Jiang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   F. Liang ;   W. Liu ;   S.T. Liu ;   M. Li
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/07/31
The self-compensation effect of heavily Mg doped p-GaN films studied by SIMS and photoluminescence 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2019, 卷号: 133, 页码: 106177
作者:  H.R. Qi ;   S. Zhang ;   S.T. Liu ;   F. Liang ;   L.K. Yi ;   J.L. Huang ;   M. Zhou ;   Z.W. He ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/07/31
Effect of Mg doping concentration of electron blocking layer on the performance of GaN‑based laser diodes 期刊论文
Applied Physics B, 2019, 卷号: 125, 页码: 235
作者:  J. Yang ;   D. G. Zhao ;   J. J. Zhu ;   Z. S. Liu ;   D. S. Jiang ;   P. Chen ;   F. Liang ;   S. T. Liu ;   Y. Xing
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/07/31
The compensation role of deep defects in the electric properties of lightly Si-doped GaN 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 773, 页码: 1182-1186
作者:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Q. Zhang ;   M. Li
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基于p-GaN处理工艺的GaN基增强型HEMT研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  李喜林
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/05/29

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