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半导体研究所 [47]
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期刊论文 [41]
会议论文 [6]
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Influences of polarization effect and p-region doping concentration on the photocurrent response of solar-blind p-i-n avalanche photodiodes
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 028503
Li, XJ
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
;
Wu, LL
;
Li, L
;
Le, LC
;
Yang, J
;
He, XG
;
Wang, H
;
Zhu, JJ
;
Zhang, SM
;
Zhang, BS
;
Yang, H
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/03/20
Effect of compensation doping on the electrical and optical properties of mid-infrared type-ii inas/gasb superlattice photodetectors
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 6
作者:
Wang Yong-Bin
;
Xu Yun
;
Zhang Yu
;
Yu Xiu
;
Song Guo-Feng
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/05/12
Inas/gasb superlattices
P-doping concentration
Electrical and optical properties
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films
期刊论文
Diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376
作者:
Ying, J.
;
Zhang, X. W.
;
Fan, Y. M.
;
Tan, H. R.
;
Yin, Z. G.
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/05/12
Cubic boron nitride
Doping
Ion beam assisted deposition
X-ray photoelectron spectroscopy
Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face iii-nitride structure
期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 3
作者:
Zhang, L.
;
Ding, K.
;
Yan, J. C.
;
Wang, J. X.
;
Zeng, Y. P.
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Electron gas
Gallium compounds
Iii-v semiconductors
Mocvd
Polarisation
Semiconductor doping
Semiconductor thin films
Wide band gap semiconductors
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films
期刊论文
diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376
Ying J (Ying J.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/12/28
Cubic boron nitride
Doping
Ion beam assisted deposition
X-ray photoelectron spectroscopy
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
VAPOR-DEPOSITION
SI
NUCLEATION
GROWTH
Origin and enhancement of hole-induced ferromagnetism in first-row d(0) semiconductors
期刊论文
Physical review letters, 2009, 卷号: 102, 期号: 1, 页码: 4
作者:
Peng, Haowei
;
Xiang, H. J.
;
Wei, Su-Huai
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC
Origin and Enhancement of Hole-Induced Ferromagnetism in First-Row d(0) Semiconductors
期刊论文
physical review letters, 2009, 卷号: 102, 期号: 1, 页码: art. no. 017201
作者:
Li JB
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浏览/下载:393/60
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提交时间:2010/03/08
COLLECTIVE ELECTRON FERROMAGNETISM
ENERGY
MODEL
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