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半导体研究所 [36]
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专题:半导体研究所
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Properties investigation of gan films implanted by sm ions under different implantation and annealing conditions
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432
作者:
Jiang, L. J.
;
Wang, X. L.
;
Xiao, H. L.
;
Wang, Z. G.
;
Yang, C. B.
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Ferromagnetic
Implantation
Annealing
Enhancing the curie temperature of ferromagnetic semiconductor (ga,mn)as to 200 k via nanostructure engineering
期刊论文
Nano letters, 2011, 卷号: 11, 期号: 7, 页码: 2584-2589
作者:
Chen, Lin
;
Yang, Xiang
;
Yang, Fuhua
;
Zhao, Jianhua
;
Misuraca, Jennifer
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Magnetic semiconductors
Magnetic properties of nanostructures
Magnetotransport phenomena
Molecular-beam epitaxy
Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain
期刊论文
journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391
Zhang, J
;
Tan, PH
;
Zhao, WJ
;
Lu, J
;
Zhao, JH
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/01/06
Raman spectroscopy
ultrathin Fe(3)O(4) film
crystal orientation
strain
phonon strain-shift coefficient
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
SPIN-TRANSPORT
MAGNETITE
SEMICONDUCTORS
SPINTRONICS
SCATTERING
CORROSION
DEVICES
GROWTH
Strain-induced high ferromagnetic transition temperature of MnAs epilayer grown on GaAs (110)
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.125
作者:
Chen L
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浏览/下载:38/1
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提交时间:2011/07/05
MAGNETIC-PROPERTIES
GAAS(001)
FILMS
ORDER
NANOCLUSTERS
EPITAXY
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Fabrication of ferromagnetic GaMnSb by thermal diffusion of evaporated Mn
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148
Yang GD
;
Zhu F
;
Dong S
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浏览/下载:71/2
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提交时间:2011/07/05
Diffusion
Physical vapor deposition processes
Magnetic materials
Semiconducting III-V materials
GASB/MN DIGITAL ALLOYS
ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
RAMAN-SCATTERING
MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES
EPITAXIAL LAYERS
THIN-FILMS
SEMICONDUCTORS
STRAIN
MAGNETOELECTRONICS
SPINTRONICS
Strain-induced high ferromagnetic transition temperature of mnas epilayer grown on gaas (110)
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 7
作者:
Xu, Pengfa
;
Lu, Jun
;
Chen, Lin
;
Yan, Shuai
;
Meng, Haijuan
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Easy axis reorientation and magneto-crystalline anisotropic resistance of tensile strained (ga,mn)as films
期刊论文
Journal of magnetism and magnetic materials, 2010, 卷号: 322, 期号: 21, 页码: 3250-3254
作者:
Chen, L.
;
Yan, S.
;
Xu, P. F.
;
Lu, J.
;
Deng, J. J.
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/05/12
Magnetic semiconductor
Magnetic anisotropy
Magneto-transport phenomenon
Molecular-beam epitaxy
Ferromagnetic modification of gan film by cu+ ions implantation
期刊论文
Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2010, 卷号: 268, 期号: 2, 页码: 123-126
作者:
Zhang, B.
;
Chen, C. C.
;
Yang, C.
;
Wang, J. Z.
;
Shi, L. Q.
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Nonmagnetic element doped semiconductor
Cu ion implantation
Gan-based dms
First-principles prediction of the magnetism of 3d transition-metal-doped Rocksalt MgO
期刊论文
physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 10, 页码: 1292-1296
Shi LJ (Shi Li-Jie)
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浏览/下载:20/3
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提交时间:2010/04/13
Ferromagnetism
Half-metal
Double-exchange mechanism
TEMPERATURE FERROMAGNETISM
ELECTRIC PROPERTIES
ZNO FILMS
II-VI
SEMICONDUCTORS
SPINTRONICS
MODEL
SPIN
GAS
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