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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Studies of high dc current induced degradation in iii-v nitride based heterojunctions 期刊论文 Ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425 作者:  Ho, WY;  Surya, C;  Tong, KY;  Lu, LW;  Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Current stressing  Dlts  Flicker noise  Heterojunctions  Iii-v nitride   Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425 Ho WY; Surya C; Tong KY; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 current stressing  DLTS  flicker noise  heterojunctions  III-V nitride  LOW-FREQUENCY FLUCTUATIONS  RESONANT-TUNNELING DIODES  FLICKER NOISE  GALLIUM NITRIDE  1/F NOISE  DEVICES  TRANSISTORS  QUALITY