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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4211-4214 Cheng BW; Zhang JG; Zuo YH; Mao RW; Huang CJ; Luo LP; Yao F; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 SI-GE ALLOYS  GROWTH  LAYERS   Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells 会议论文 symposium on silicon-based heterostructure materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Cheng BW; Zhang JG; Zuo YH; Mao RW; Huang CJ; Luo LP; Yao F; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 SI-GE ALLOYS  GROWTH  LAYERS   Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure 会议论文 asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2001), beijing, peoples r china, nov 12-15, 2001 Huang CJ; Zuo YH; Li C; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29 Ge/Si islands  quantum dot  band alignment  PL  SI/SI1-XGEX QUANTUM-WELLS  STRANSKI-KRASTANOV GROWTH  II BAND ALIGNMENT  GE ISLANDS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  LAYERS  LUMINESCENCE  ORGANIZATION  MECHANISM