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半导体研究所 [77]
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期刊论文 [65]
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发表日期
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专题:半导体研究所
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Single photon emission from deep-level defects in monolayer WSe2
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 95, 期号: 24, 页码: 245313(5)
作者:
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/06/15
Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104
作者:
Deng QW
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浏览/下载:49/5
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提交时间:2011/07/05
QUANTUM-WELL-STRUCTURE
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE
YELLOW LUMINESCENCE
DEEP LEVELS
TRAP
PERFORMANCE
FREQUENCY
EPILAYERS
ORIGIN
DIODES
Variation of optical quenching of photoconductivity with resistivity in unintentional doped gan
期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 4
作者:
Hou Qi-Feng
;
Wang Xiao-Liang
;
Xiao Hong-Ling
;
Wang Cui-Mei
;
Yang Cui-Bai
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Donor-donor binding in in2o3: engineering shallow donor levels
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: 5
作者:
Tang, Li-Ming
;
Wang, Ling-Ling
;
Wang, Dan
;
Liu, Jian-Zhe
;
Chen, Ke-Qiu
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Donor-donor binding in In2O3: Engineering shallow donor levels
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083704
Tang LM (Tang Li-Ming)
;
Wang LL (Wang Ling-Ling)
;
Wang D (Wang Dan)
;
Liu JZ (Liu Jian-Zhe)
;
Chen KQ (Chen Ke-Qiu)
收藏
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2010/05/24
AUGMENTED-WAVE METHOD
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTORS
FILMS
ZNSE
ZNTE
Variation of Optical Quenching of Photoconductivity with Resistivity in Unintentional Doped GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057104
Hou QF (Hou Qi-Feng)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Xiao
;
HL (Xiao Hong-Ling)
;
Wang CM (Wang Cui-Mei)
;
Yang CB (Yang Cui-Bai)
;
Li JM (Li Jin-Min)
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浏览/下载:257/64
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提交时间:2010/05/24
N-TYPE GAN
DEEP LEVELS
SELENIDE
DEFECTS
Deep levels in high resistivity gan detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: 4
作者:
Gai, Yanqin
;
Li, Jingbo
;
Hou, Qifeng
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403
作者:
Li JB
;
Hou QF
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浏览/下载:67/11
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提交时间:2010/03/08
N-TYPE GAN
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
VAPOR-PHASE EPITAXY
DEFECTS
THERMOLUMINESCENCE
CARBON
TRAP
Investigation of native defects and property of bulk zno single crystal grown by a closed chemical vapor transport method
期刊论文
Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 3, 页码: 639-645
作者:
Wei, Xuecheng
;
Zhao, Youwen
;
Dong, Zhiyuan
;
Li, Jinmin
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Defects
X-ray diffraction
Growth from vapor
Oxides
Semiconducting ii-vi materials
Annihilation of deep level defects in inp through high temperature annealing
期刊论文
Journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 2-3, 页码: 551-554
作者:
Zhao, Y. W.
;
Dong, Z. Y.
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Defect
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