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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2002 [1]
2000 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128
Zheng XH
;
Feng ZH
;
Wang YT
;
Zheng WL
;
Jia QJ
;
Jiang XM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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提交时间:2010/08/12
nucleation layers
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
gallium compounds
nitrides
LIGHT-EMITTING-DIODES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AIN BUFFER LAYER
GROWN GAN
SAPPHIRE SUBSTRATE
QUALITY
FILMS
BLUE
TEMPERATURE
EVOLUTION
Annealing effect on the surface morphology and photoluminescence of ingaas/gaas quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 356-359
作者:
Jiang, WH
;
Xu, HZ
;
Xu, B
;
Ye, XL
;
Wu, J
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Rapid thermal annealing
Ingaas/gaas
Quantum dots
Molecular beam epitaxy
Annealing effect on the surface morphology and photoluminescence of InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 356-359
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2010/08/12
rapid thermal annealing
InGaAs/GaAs
quantum dots
molecular beam epitaxy
LUMINESCENCE
FABRICATION
GAAS(100)
INTERFACE
LASER
LAYER
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