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半导体研究所 [27]
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专题:半导体研究所
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Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires
期刊论文
Acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971
作者:
Wang, Z. G.
;
Li, J. B.
;
Gao, F.
;
Weber, W. J.
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/05/12
Twinning
Nanotructures
Fracture
Buckling
Molecular dynamics
Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires
期刊论文
acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971
作者:
Li JB
收藏
  |  
浏览/下载:63/1
  |  
提交时间:2010/04/22
Twinning
Nanotructures
Fracture
Buckling
Molecular dynamics
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AB-INITIO CALCULATIONS
BETA-SIC NANOWIRES
LOW-TEMPERATURE
THIN-FILMS
SIMULATION
ELASTICITY
NANOTUBES
POLYTYPES
GROWTH
Nature of interfacial defects and their roles in strain relaxation at highly lattice mismatched 3C-SiC/Si (001) interface
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 7, 页码: art.no.073522
Wen C
;
Wang YM
;
Wan W
;
L, FH
;
Liang JW
;
Zou J
收藏
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浏览/下载:141/41
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提交时间:2010/03/08
RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY
Microstructure and optical properties of nonpolar m-plane gan films grown on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
Japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349
作者:
Wei, Tongbo
;
Duan, Ruifei
;
Wang, Junxi
;
Li, Jinmin
;
Huo, Ziqiang
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Hvpe
Gan
Sapphire
Nonpolar
Semipolar
Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Yang, JK
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/08
HVPE
GaN
sapphire
nonpolar
semipolar
Raman scattering detection of stacking faults in free-standing cubic-sic epilayer
期刊论文
Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 2834-2837
作者:
Liu Xing-Fang
;
Sun Guo-Sheng
;
Li Jin-Min
;
Zhao Yong-Mei
;
Li Jia-Ye
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/05/12
Raman scattering detection of stacking faults in free-standing cubic-SiC epilayer
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 2834-2837
Liu XF (Liu Xing-Fang)
;
Sun GS (Sun Guo-Sheng)
;
Li JM (Li Jin-Min)
;
Zhao YM (Zhao Yong-Mei)
;
Li JY (Li Jia-Ye)
;
Wang L (Wang Lei)
;
Zhao WS (Zhao Wan-Shun)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
收藏
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浏览/下载:75/0
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提交时间:2010/04/11
SPECTROSCOPY
GROWTH
POLYTYPES
SILICON
Effect of ion flux on recrystallization and resistance lowering in phosphorus-implanted (0001)-oriented 4h-sic
期刊论文
Chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 599-603
作者:
Xin, G
;
Sun, GS
;
Li, JM
;
Zhang, YX
;
Lei, W
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Ion implantation
Silicon carbide
Phosphorus
Photoluminescence
Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation
期刊论文
high energy physics and nuclear physics-chinese edition, 2005, 卷号: 29, 期号: suppl.s, 页码: 37-39
Chen J
;
Wang JF
;
Zhang JC
;
Wang H
;
Huang Y
;
Wang YT
;
Yang H
;
Jia QJ
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
epitaxy lateral overgrowth
stacking faults
synchrotron radiation X-ray diffraction (XRD)
pole figure
WURTZITE GAN
LUMINESCENCE
Structural characterization of epitaxial lateral overgrown gan on patterned gan/gaas(001) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72
作者:
Shen, XM
;
Fu, Y
;
Feng, G
;
Zhang, BS
;
Feng, ZH
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Transmission electron microscopy
X-ray diffraction
Epitaxial lateral overgrowth
Metalorganic vapor phase epitaxy
Cubic gallium nitride
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