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科研机构
半导体研究所 [13]
内容类型
期刊论文 [10]
会议论文 [3]
发表日期
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2009 [3]
2006 [2]
2005 [1]
2004 [1]
2000 [1]
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专题:半导体研究所
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Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101
Su SJ
;
Wang W
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Bai AQ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
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浏览/下载:59/3
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提交时间:2011/07/05
GeSn
Ge
molecular beam epitaxy
epitaxial growth
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Photoluminescence from heterogeneous sige/si nanostructures prepared via a two-step approach strategy
期刊论文
Journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077
作者:
Zhou, Bi
;
Pan, Shuwan
;
Chen, Songyan
;
Li, Cheng
;
Lai, Hongkai
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2019/05/12
Heterostructure
Nanostructure
Porous si
Porous sige
Photoluminescence
A study on a two-step technique of growing ga2o3/zno films ammoniated at different temperatures
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 460-464
作者:
Xue, Shoubin
;
Zhang, Xing
;
Huang, Ru
;
Zhuang, Huizhao
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Nanostructures
Gallium nitride
Semiconductors
Nanofabrications
Photoluminescence from heterogeneous SiGe/Si nanostructures prepared via a two-step approach strategy
期刊论文
journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077
Zhou B
;
Pan SW
;
Chen SY
;
Li C
;
Lai HK
;
Yu JZ
;
Zhu XF
收藏
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浏览/下载:92/3
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提交时间:2010/03/08
Heterostructure
Nanostructure
Porous Si
Porous SiGe
Photoluminescence
Strain analysis of inp/ingaasp wafer bonded on si by x-ray double crystalline diffraction
期刊论文
Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 117-123
作者:
Zhao, Hong-Quan
;
Yu, Li-Juan
;
Huang, Yong-Zhen
;
Wang, Yu-Tian
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Inp
Si
X-ray double crystalline diffraction
Thermal strain
Wafer bonding
Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 117-123
Zhao HQ (Zhao Hong-Quan)
;
Yu LJ (Yu Li-Juan)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/04/11
InP
Si
X-ray double crystalline diffraction
thermal strain
wafer bonding
OPTOELECTRONIC DEVICES
EPITAXIAL OVERGROWTHS
TEMPERATURE
INTERFACE
STRESSES
VCSELS
SURFACES
ENERGY
Recent progresses of SOI-based photonic devices - art. no. 60201R
会议论文
conference on optoelectronic materials and devices for optical communications, shanghai, peoples r china, nov 07-10, 2005
作者:
Li YT
;
Li ZY
收藏
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浏览/下载:116/19
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提交时间:2010/03/29
SOI
Long-wavelength sige/si mqw resonant-cavity-enhanced photodiodes (rce-pd)
期刊论文
Gettering and defect engineering in semiconductor technology, 2004, 卷号: 95-96, 页码: 255-260
作者:
Yu, JZ
;
Li, C
;
Cheng, BW
;
Wang, QM
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Dbr (distributed bragg reflector)
Mqw (multiple quantum wells)
Optical fiber communication
Photodiode
Rce-pd (resonant-cavity-enhanced photodiode)
Responsivity
Sige/si
Soi
A study of Si1-xGex/Si quantum-well intermixing by photocurrent spectroscopy
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 359, 期号: 2, 页码: 236-238
Li C
;
Yang QQ
;
Chen YH
;
Wang HJ
;
Wang JZ
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:89/0
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提交时间:2010/08/12
quantum well intermixing
photocurrent spectroscopy
photoelectronic devices
SiGe/Si MQW
blue shift energy
ION-IMPLANTATION
Si-based optoelectronic devices and their attractive applications
期刊论文
Czechoslovak journal of physics, 1999, 卷号: 49, 期号: 5, 页码: 837-848
作者:
Wang, QM
;
Yang, QQ
;
Zhu, YQ
;
Si, JJ
;
Liu, YL
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
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