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First principles study of Schottky barriers at Ga2O3(100)/metal interfaces 期刊论文
RSC ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 25, 页码: 14746-14752
作者:  Ran Xu;   Na Lin;   Zhitai Jia;   Yueyang Liu;   Haoyuan Wang;   Yifei Yu ;   Xian Zhao
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2021/06/28
Improving Performances of In-Plane Transition-Metal Dichalcogenide Schottky Barrier Field-Effect Transistors 期刊论文
ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 22, 页码: 19271-19277
作者:  Zhi-Qiang Fan;   Xiang-Wei Jiang;  Jiezhi Chen;   Jun-Wei Luo
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/11/12
In-plane Schottky-barrier field-effect transistors based on 1T/2H heterojunctions of transition-metal dichalcogenides 期刊论文
Physical Review B, 2017, 卷号: 96, 期号: 16, 页码: 165402
作者:  Zhi-Qiang Fan;  Xiang-Wei Jiang;  Jun-Wei Luo;  Li-Ying Jiao;  Ru Huang
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2018/06/15
Tunable Schottky Barrier at MoSe2/Metal Interfaces with a Buffer Layer 期刊论文
The Journal of Physical Chemistry C, 2017, 卷号: 121, 页码: 9305−9311
作者:  Le Huang;  Bo Li;  Mianzeng Zhong;  Zhongming Wei;  Jingbo Li
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/06/15
Schottky barrier heights at the interfaces between pure-phase InAs nanowires and metal contacts 期刊论文
journal of applied physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 5, 页码: 054304
Boyong Feng; Shaoyun Huang; Jiyin Wang; Dong Pan; Jianghua Zhao; H. Q. Xu
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/16
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhao JZ; Cao ZF; Meng LG; Luan CB; Wang ZG; Chen H
收藏  |  浏览/下载：65/6  |  提交时间：2011/07/05
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations 期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：59/6  |  提交时间：2011/07/05
Surface plasmon enhanced GaAs thin film solar cells 期刊论文
solar energy materials and solar cells, 2011, 卷号: 95, 期号: 2, 页码: 693-698
作者:  Liu W
收藏  |  浏览/下载：39/2  |  提交时间：2011/07/06
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ; Lin ZJ; Zhang Y; Meng LG; Cao ZF; Luan CB; Chen H; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：58/2  |  提交时间：2011/07/05
Abnormal photoabsorption in high resistance gan epilayer 期刊论文
Acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 8048-8051
作者:  Liu Wen-Bao;  Zhao De-Gang;  Jiang De-Sheng;  Liu Zong-Shun;  Zhu Jian-Jun
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12

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