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半导体研究所 [14]
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期刊论文 [12]
会议论文 [2]
发表日期
2009 [1]
2006 [5]
2000 [2]
1999 [1]
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Resonant tunneling through S- and U-shaped graphene nanoribbons
期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 41, 页码: art. no. 415203
作者:
Wu ZH
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浏览/下载:58/2
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提交时间:2010/03/08
CONDUCTANCE
VOLTAGE
RIBBONS
Interplay between s-d exchange interaction and rashba effect: spin-polarized transport
期刊论文
Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 13, 页码: 3
作者:
Yang, W.
;
Chang, Kai
;
Wu, X. G.
;
Zheng, H. Z.
;
Peeters, F. M.
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/05/12
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE
Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots
期刊论文
electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:78/0
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提交时间:2010/04/11
SEMICONDUCTOR-DEVICES
TRANSPORT
STATES
BISTABILITY
VOLTAGE
LASERS
DIODE
Interplay between s-d exchange interaction and Rashba effect: Spin-polarized transport
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 13, 页码: art.no.132112
Yang W (Yang W.)
;
Chang K (Chang Kai)
;
Wu XG (Wu X. G.)
;
Zheng HZ (Zheng H. Z.)
;
Peeters FM (Peeters F. M.)
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/04/11
INJECTION
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706
作者:
Ye XL
;
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:93/0
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提交时间:2010/04/11
GAAS
SPECTROSCOPY
PARAMETERS
TRANSPORT
LASERS
ENERGY
STATES
HOLE
Static and dynamic electric field domain formation in a doped GaAs/AlAs superlattice
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 141-145
作者:
Wang HL
;
Wang HL
;
Jiang DS
;
Wang HL
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/08/12
superlattices
GaAs/AlAs
electric field domains
tunnelling
OSCILLATIONS
Static and dynamic electric field domain formation in a doped GaAs/AlAs superlattice
会议论文
50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
作者:
Jiang DS
;
Wang HL
;
Wang HL
;
Wang HL
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
superlattices
GaAs/AlAs
electric field domains
tunnelling
OSCILLATIONS
Negative differential resistance and the transition to current self-oscillation in GaAs/AlAs superlattices
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 112, 期号: 7, 页码: 371-374
Wang JN
;
Sun BQ
;
Wang XR
;
Wang HL
收藏
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductors
tunneling
ELECTRIC-FIELD DOMAINS
DOPED SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
MODEL
INSTABILITIES
DIODES
GAAS-ALAS SUPERLATTICES
Sequential resonant tunnelling through landau levels in gaas/alas superlattices
期刊论文
Microelectronic engineering, 1998, 卷号: 43-4, 页码: 349-354
作者:
Liu, J
;
Gornik, E
;
Xu, SJ
;
Zheng, HZ
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Gaas/alas
Superlattices
Transport
Tunnelling
Landau level
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