×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [32]
内容类型
期刊论文 [32]
发表日期
2011 [5]
2010 [7]
2009 [7]
2008 [5]
2005 [4]
2004 [4]
更多...
学科主题
半导体物理 [10]
半导体材料 [7]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共32条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Elastic, electronic, and optical properties of two-dimensional graphyne sheet
期刊论文
Journal of physical chemistry c, 2011, 卷号: 115, 期号: 42, 页码: 20466-20470
作者:
Kang, Jun
;
Li, Jingbo
;
Wu, Fengmin
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
The influence of the 1st aln and the 2nd gan layers on properties of algan/2nd aln/2nd gan/1st aln/1st gan structure
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:
Bi, Yang
;
Wang, XiaoLiang
;
Yang, CuiBai
;
Xiao, HongLing
;
Wang, CuiMei
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
The influence of the ingan back-barrier on the properties of al0.3ga0.7n/aln/gan/ingan/gan structure
期刊论文
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 5
作者:
Bi, Y.
;
Wang, X. L.
;
Xiao, H. L.
;
Wang, C. M.
;
Peng, E. C.
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/05/12
The influence of the1st AlN and the2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure
期刊论文
applied physics a: materials science and processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
Bi, Yang
;
Wang, XiaoLiang
;
Yang, CuiBai
;
Xiao, HongLing
;
Wang, CuiMei
;
Peng, EnChao
;
Lin, DeFeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, LiJuan,
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2012/06/14
Poisson equation
Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 83003
Bi, Yang
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yang, Cuibai
;
Peng, Enchao
;
Lin, Defeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, Lijuan,
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/06/14
Aluminum
Electron mobility
Gallium nitride
High electron mobility transistors
Indium
Poisson equation
Polarization
Two dimensional electron gas
Quantum mechanical study on tunnelling and ballistic transport of nanometer si mosfets
期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 4
作者:
Deng Hui-Xiong
;
Jiang Xiang-Wei
;
Tang Li-Ming
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
First-principles study of ground-state properties and high pressure behavior of tho2
期刊论文
Journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 399, 期号: 2-3, 页码: 181-188
作者:
Wang, Bao-Tian
;
Shi, Hongliang
;
Li, Wei-Dong
;
Zhang, Ping
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Mechanical and chemical bonding properties of ground state beh2
期刊论文
European physical journal b, 2010, 卷号: 74, 期号: 3, 页码: 303-308
作者:
Wang, B. -T.
;
Zhang, P.
;
Shi, H. -L.
;
Sun, B.
;
Li, W. -D.
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
First-principles study of UC2 and U2C3
期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 396, 期号: 2-3, 页码: 218-222
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Zhang P (Zhang Ping)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Wang BT (Wang Baotian)
;
Sun B (Sun Bo)
收藏
  |  
浏览/下载:79/12
  |  
提交时间:2010/04/21
First-principle calculation
GGA plus U
Elastic constants
Chemical bonding
Valence state
BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS
CARBIDES
SPECTRA
METALS
First-principles study of ground-state properties and high pressure behavior of ThO2
期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 399, 期号: 2-3, 页码: 181-188
Wang BT (Wang Bao-Tian)
;
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Li WD (Li Wei-Dong)
;
Zhang P (Zhang Ping)
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/06/18
ELASTIC PROPERTIES
ACTINIDE DIOXIDES
THORIUM-DIOXIDE
SINGLE-CRYSTAL
STABILITY
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace