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半导体研究所 [21]
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专题:半导体研究所
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Defect properties of as-grown and electron-irradiated te-doped gasb studied by positron annihilation
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 6
作者:
Li Hui
;
Zhou Kai
;
Pang Jingbiao
;
Shao Yundong
;
Wang Zhu
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
收藏
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浏览/下载:55/10
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提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
Proton irradiation-induced defects in undoped gasb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence
期刊论文
Journal of optoelectronics and advanced materials, 2009, 卷号: 11, 期号: 8, 页码: 1122-1126
作者:
Li, Hui
;
Wang, Zhu
;
Zhou, Kai
;
Pang, Jingbiao
;
Ke, Junyu
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Gasb
Proton irradiation
Defects
Positron lifetime
Photoluminescence
Proton irradiation-induced defects in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence
期刊论文
journal of optoelectronics and advanced materials, 2009, 卷号: 11, 期号: 8, 页码: 1122-1126
Li H
;
Wang Z
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Ke JY
;
Zhao YW
收藏
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浏览/下载:59/1
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提交时间:2010/03/08
GaSb
Proton irradiation
Defects
Positron lifetime
Photoluminescence
Influence of electron irradiation on hydrothermally grown zinc oxide single crystals
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 6
作者:
Lu, L. W.
;
So, C. K.
;
Zhu, C. Y.
;
Gu, Q. L.
;
Li, C. J.
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Influence of electron irradiation on hydrothermally grown zinc oxide single crystals
期刊论文
semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: art. no. 095028
Lu LW
;
So CK
;
Zhu CY
;
Gu QL
;
Li CJ
;
Fung S
;
Brauer G
;
Anwand W
;
Skorupa W
;
Ling CC
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浏览/下载:111/1
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提交时间:2010/03/08
SCHOTTKY CONTACTS
Identification of vacancies in electron irradiated gasb by coincidence doppler broadening spectroscopy
期刊论文
Materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 4-5, 页码: 1187-1189
作者:
Shao, Y. D.
;
Wang, Z.
;
Dai, Y. Q.
;
Zhao, Y. W.
;
Tang, F. Y.
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Gasb
Coincidence doppler broadening
Electron irradiation
Defect
Identification of vacancies in electron irradiated GaSb by coincidence Doppler broadening spectroscopy
期刊论文
materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 4-5, 页码: 1187-1189
Shao, YD (Shao, Y. D.)
;
Wang, Z (Wang, Z.)
;
Dai, YQ (Dai, Y. Q.)
;
Zhao, YW (Zhao, Y. W.)
;
Tang, FY (Tang, F. Y.)
收藏
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/03/29
GaSb
Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed inp
期刊论文
Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 4
作者:
Zhao, Youwen
;
Dong, Zhiyuan
;
Miao, Shanshan
;
Deng, Aihong
;
Yang, Jun
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed InP
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123519
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Miao, SS (Miao, Shanshan)
;
Deng, AH (Deng, Aihong)
;
Yang, J (Yang, Jun)
;
Wang, B (Wang, Bo)
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/03/29
DOPED SEMIINSULATING INP
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