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半导体研究所 [97]
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Thickness influence of thermal oxide layers on the formation of self-catalyzed InAs nanowires on Si(111) by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2014, 卷号: 395, 页码: 55-60
Wang, XY
;
Yang, XG
;
Du, WN
;
Ji, HM
;
Luo, S
;
Yang, T
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/03/25
Growth of sno2 nanoparticles via thermal evaporation method
期刊论文
Superlattices and microstructures, 2011, 卷号: 50, 期号: 5, 页码: 511-516
作者:
Li, Yuguo
;
Peng, Ruiqin
;
Xiu, Xianwu
;
Zheng, Xuelei
;
Zhang, Xiaosen
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浏览/下载:94/0
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提交时间:2019/05/12
Oxides
Crystal growth
Growth mechanism
Luminescence
Synthesis, characterization and growth mechanism of zno microprisms over ce(no3)(3)-coated si substrates
期刊论文
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 5
作者:
Zhuang, H. Z.
;
Wang, J.
;
Li, J.
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Fabrication and characterization of novel zno tetrapods induced by polar surfaces
期刊论文
Materials letters, 2011, 卷号: 65, 期号: 11, 页码: 1659-1662
作者:
Li, Junlin
;
Zhuang, Huizhao
;
Wang, Jie
;
Xu, Peng
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浏览/下载:90/0
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提交时间:2019/05/12
Zinc oxide
Crystal growth
Tetrapods
Polar surfaces
Chemical vapor deposition
Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned gaas (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575
作者:
Zhou, Huiying
;
Qu, Shengchun
;
Jin, Peng
;
Xu, Bo
;
Ye, Xiaoling
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2019/05/12
Atom force microscopy
Nanostructures
Molecular-beam epitaxy
Nanomaterials
Semiconducting gallium arsenide
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:121/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Synthesis, morphology and growth mechanism of brush-like zno nanostructures
期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 2097-2101
作者:
Wang, Jie
;
Zhuang, Huizhao
;
Li, Junlin
;
Xu, Peng
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浏览/下载:95/0
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提交时间:2019/05/12
Zinc oxide
Growth model
Characterization
Single crystal growth
Nanomaterials
Study on Optical Properties of Type-II SnO2/ZnS Core/Shell Nanowires
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2011, 卷号: 115, 期号: 15, 页码: 7225-7229
作者:
Li JB
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浏览/下载:39/2
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提交时间:2011/07/05
COLLOIDAL NANOCRYSTAL HETEROSTRUCTURES
PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES
LATTICE DYNAMICS
TIN OXIDE
FILMS
NANOSTRUCTURES
SPECTRA
EXCITON
ARRAYS
RUTILE
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:112/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
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