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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2009 [1]
2006 [1]
2000 [2]
1996 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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Chemical etching of a GaSb crystal incorporated with Mn grown by the Bridgman method under microgravity conditions
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 47-51
Chen Xiaofeng
;
Chen Nuofu
;
Wu Jinliang
;
Zhang Xiulan
;
Chai Chunlin
;
Yu Yude
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
Comparison of space- and ground-grown Ce: Bi12SiO20 single crystals
期刊论文
microgravity science and technology, 2006, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 40244
Zhou YF
;
Pan ZL
;
Liu Y
;
Ai F
;
Chen NF
;
Huang YY
;
He W
;
Tang LA
;
Wang JC
收藏
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浏览/下载:272/40
  |  
提交时间:2010/04/11
Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of gasb/insb/gasb under microgravity and terrestrial conditions
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50
作者:
Hayakawa, Y
;
Okano, Y
;
Hirata, A
;
Imaishi, N
;
Kumagiri, Y
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Microgravity
Chinese recoverable satellite
Gasb
Inxga1-xsb
Dissolution
Recrystallization
Orientation
Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50
Hayakawa Y
;
Okano Y
;
Hirata A
;
Imaishi N
;
Kumagiri Y
;
Zhong X
;
Xie X
;
Yuan B
;
Wu F
;
Liu H
;
Yamaguchi T
;
Kumagawa M
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
microgravity
Chinese recoverable satellite
GaSb
InxGa1-xSb
dissolution
recrystallization
orientation
FLOATING-ZONE GROWTH
INXGA1-XSB CRYSTALS
GASB
MELT
INSB
DIFFUSION
SILICON
CONVECTION
STRIATION
Electrical properties of semi-insulating GaAs grown from the melt under microgravity conditions
期刊论文
chinese physics letters, 1996, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 553-556
Wang ZG
;
Lin LY
;
Li CJ
;
Zhong XR
;
Li YY
;
Wan SK
;
Sun H
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/17
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