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	First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires 期刊论文 journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191 作者: Li JB 收藏 \| 浏览/下载：101/6 \| 提交时间：2011/07/05 Twinned SiC nanowires Electronic properties Ab initio Modeling and simulation SILICON-CARBIDE NANOWIRES FIELD-EMISSION PROPERTIES MOLECULAR-BEAM EPITAXY INAS NANOWIRES GROWTH NANOTUBES NITRIDE DIFFUSION NANORODS ENERGY
	Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529 作者: Wu DH; Niu ZC; Jiang DS; Xu YQ 收藏 \| 浏览/下载：81/0 \| 提交时间：2010/04/11 molecular beam epitaxy quantum wells semiconducting III-V materials MU-M LASERS TEMPERATURE SURFACTANT NM
	Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者: Ye XL; Xu B; Jin P 收藏 \| 浏览/下载：92/0 \| 提交时间：2010/04/11 GAAS SPECTROSCOPY PARAMETERS TRANSPORT LASERS ENERGY STATES HOLE
	Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ 收藏 \| 浏览/下载：52/0 \| 提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY P-TYPE ZNO OPTICAL-PROPERTIES EXCITON FORMATION PHOTOLUMINESCENCE FILMS SPECTROSCOPY DYNAMICS IMPURITY ENERGY
	Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865 作者: Tan PH 收藏 \| 浏览/下载：144/0 \| 提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY GAASN ALLOYS NITROGEN LUMINESCENCE PRESSURE STATES ENERGY
	Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏 \| 浏览/下载：95/3 \| 提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy low dimensional structures optical microscopy molecular beam epitaxy nanomaterials semiconducting III-V materials laser diodes TEMPERATURE-DEPENDENCE M PHOTOLUMINESCENCE INGAAS OVERGROWTH GAAS DOTS EMISSION ENERGY LASER
	Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3392-3395 作者: Xu B; Ye XL 收藏 \| 浏览/下载：47/0 \| 提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M MOLECULAR-BEAM EPITAXY ROOM-TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH EMISSION LASERS ENERGY
	Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：51/0 \| 提交时间：2010/08/12 quantum dots InGaAs overgrowth layer photoluminescence molecular beam epitaxy 1.3 MU-M ROOM-TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH EMISSION LASERS ENERGY
	Investigation of periodicity fluctuations in strained (GaNAs)(1)(GaAs)(m) superlattices by the kinematical simulation of x-ray diffraction 期刊论文 applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 2, 页码: 223-225 Pan Z; Wang YT; Zhuang Y; Lin YW; Zhou ZQ; Li LH; Wu RH; Wang QM 收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY GAASN ALLOYS GROWTH ENERGY
	Effects of growth temperature on highly mismatched InAs grown on GaAs substrates by MBE 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 1-2, 页码: 38-42 Wang HM; Fan TW; Wu J; Zeng YP; Dong JR; Kong MY 收藏 \| 浏览/下载：49/0 \| 提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY CRITICAL LAYER THICKNESS THREADING DISLOCATIONS OVAL DEFECTS HETEROSTRUCTURES INXGA1-XAS ENERGY SI

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