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半导体研究所 [23]
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专题:半导体研究所
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Hot electron injection: An efficacious approach to charge LaCoO3forimproving the water splitting efficiency
期刊论文
Applied Catalysis B: Environmental, 2017, 卷号: 219, 页码: 432–438
作者:
Bo-Tao Zhang
;
Jun Liu
;
Shizhong Yue
;
Yanguo Teng
;
Zhijie Wang
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/05/30
Air stable, photosensitive, phase pure iron pyrite nanocrystal thin films for photovoltaic application
期刊论文
Nano letters, 2011, 卷号: 11, 期号: 11, 页码: 4953-4957
作者:
Bi, Yu
;
Yuan, Yongbo
;
Exstrom, Christopher L.
;
Darveau, Scott A.
;
Huang, Jinsong
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Nanocrystals
Iron pyrite
Photovoltaic
Photoconductive
Preparation of sns2 colloidal quantum dots and their application in organic/inorganic hybrid solar cells
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 1-8
作者:
Tan, Furui
;
Qu, Shengchun
;
Wu, Ju
;
Liu, Kong
;
Zhou, Shuyun
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108
Wang B
;
Li ZC
;
Yao R
;
Liang M
;
Yan FW
;
Wang GH
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浏览/下载:93/5
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提交时间:2011/07/05
GaN-based
LED
Al composition
electron blocking layer
TEMPERATURE
ALLOYS
MOVPE
Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 064202
作者:
Jin P
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浏览/下载:43/4
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提交时间:2011/07/15
LIGHT-EMITTING-DIODES
OPTICAL-PROPERTIES
TUNING RANGE
NM
EMISSION
SPECTRUM
SPECTROSCOPY
An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Wang YT
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Jiang DS
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浏览/下载:146/11
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提交时间:2010/04/04
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
LIGHT-EMITTING-DIODES
PIEZOELECTRIC FIELDS
LASER-DIODES
DEPENDENCE
RECOMBINATION
POLARIZATION
DYNAMICS
GROWTH
MOCVD
The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots
期刊论文
electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2010/04/11
SEMICONDUCTOR-DEVICES
TRANSPORT
STATES
BISTABILITY
VOLTAGE
LASERS
DIODE
Room-temperature observation of electron resonant tunneling through inas/alas quantum dots
期刊论文
Electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: G167-g170
作者:
Sun, J
;
Li, RY
;
Zhao, C
;
Yu, LK
;
Ye, XL
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Spin-polarized current produced by a double barrier resonant tunneling diode
期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 127, 期号: 7, 页码: 489-492
Xia JB
;
Hai GQ
;
Wang JN
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductor
semimagnetic
spin
tunneling
SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE
INJECTION
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