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GaN基激光器的研制及器件物理 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
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Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes 期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2016, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 041211
Xiang Li; Zongshun Liu; Degang Zhao; Desheng Jiang; Ping Chen; Jianjun Zhu; Jing Yang; Lingcong Le; Wei Liu; Xiaoguang He; Xiaojing Li; Feng Liang
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/10
Conduction and valence band discontinuities in some new semiconductor heterojunctions 期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2011, 卷号: 11, 期号: 11, 页码: 9368-9383
作者:  Zhu, Qinsheng;  Wu, Ju;  Li, Chengming;  Wang, Zhanguo
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12
Ferromagnetic nature of (ga, cr)as epilayers revealed by magnetic circular dichroism 期刊论文
Solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
作者:  Wu, H.;  Gan, H. D.;  Zheng, H. Z.;  Lu, J.;  Zhu, H.
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12
Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism 期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H; Gan HD; Zheng HZ; Lu J; Zhu H; Ji Y; Li GR; Zhao JH
收藏  |  浏览/下载：65/5  |  提交时间：2011/07/05
In-plane optical anisotropy in gaasn/gaas single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy 期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 1, 页码: 5
作者:  Yu, J. L.;  Chen, Y. H.;  Ye, X. L.;  Jiang, C. Y.;  Jia, C. H.
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12
Measurement of gan/ge(001) heterojunction valence band offset by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 4
作者:  Guo Yan;  Liu Xiang-Lin;  Song Hua-Ping;  Yang An-Li;  Zheng Gao-Lin
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12
Measurement of GaN/Ge(001) Heterojunction Valence Band Offset by X-Ray Photoelectron Spectroscopy 期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: art. no. 067302
Guo Y (Guo Yan); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Song HP (Song Hua-Ping); Yang AL (Yang An-Li); Zheng GL (Zheng Gao-Lin); Wei HY (Wei Hong-Yuan); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏  |  浏览/下载：205/46  |  提交时间：2010/07/05
GE  GAAS  GROWTH  
Time delay in InGaN multiple quantum well laser diodes at room temperature 期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: article no.124211
作者:  Wang H;  Yang H;  Yang H;  Jiang DS;  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：42/2  |  提交时间：2011/07/05
The junction temperature and forward voltage relationship of gan-based laser diode 期刊论文
Laser physics, 2009, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 400-402
作者:  Liu, Y. T.;  Cao, Q.;  Song, G. F.;  Chen, L. H.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12

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