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锗/硅雪崩光电探测器的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
武文周
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High-performance metamorphic ingaas resonant cavity enhanced photodetector grown on gaas substrate 期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: 3
作者:  Liu, S. Q.;  Han, Q.;  Zhu, B.;  Yang, X. H.;  Ni, H. Q.
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12
High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate 期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: article no.201104
作者:  Li MF;  He JF
收藏  |  浏览/下载：35/3  |  提交时间：2011/07/05
Metamorphic ingaas p-i-n photodetectors with 1.75 mu m cut-off wavelength grown on gaas 期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 4
作者:  Zhu Bin;  Han Qin;  Yang Xiao-Hong;  Ni Hai-Qiao;  He Ji-Fang
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Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 mu m Cut-Off Wavelength Grown on GaAs 期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038504
Zhu B (Zhu Bin); Han Q (Han Qin); Yang XH (Yang Xiao-Hong); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); He JF (He Ji-Fang); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Wang X (Wang Xin); Wang XP (Wang Xiu-Ping); Wang J (Wang Jie)
收藏  |  浏览/下载：127/5  |  提交时间：2010/04/22
An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文
Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X.
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A fast-settling frequency-presetting PLL frequency synthesizer with process variation compensation and spur reduction 期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 99-103
Yan Xiaozhou; Kuang Xiaofei; Wu Nanjian
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23
A Novel 0.72-6.2GHz Continuously-Tunable Delta Sigma Fractional-N Frequency Synthesizer 会议论文
2009 ieee 8th international conference on asic, changsha, peoples r china, 2009
Lou WF (Lou Wenfeng); Yan XZ (Yan Xiaozhou); Geng ZQ (Geng Zhiqing); Wu NJ (Wu Nanjian)
收藏  |  浏览/下载：219/35  |  提交时间：2010/04/13
5.2 GHz variable-gain amplifier and power amplifier driver for WLAN IEEE 802.11a transmitter front-end 期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 015008-1-015008-5
作者:  Yan Jun
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Zhang ML;  Hou QF
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