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半导体研究所 [21]
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期刊论文 [21]
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专题:半导体研究所
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Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究
期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 8, 页码: 4930-4935
作者:
陈涌海
;
叶小玲
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/11/23
GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1149-1153
作者:
刘超
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/23
Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 279-283
作者:
赵德刚
;
王俊
;
王俊
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 43-48
作者:
王俊
;
王俊
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构
期刊论文
功能材料与器件学报, 2002, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 228-232
刘相华
;
陈猛
;
刘忠立
;
王曦
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
直接键合硅片界面键合能的理论分析
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 140
作者:
韩伟华
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应
期刊论文
电子学报, 2001, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1076
李柳青
;
廖显伯
;
游志朴
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究
期刊论文
物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2418
王永谦
;
陈长勇
;
陈维德
;
杨富华
;
刁宏伟
;
许振嘉
;
张世斌
;
孔光临
;
廖显伯
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/23
用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器
期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 483
作者:
成步文
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
镶嵌在氧化硅薄膜中纳米硅的Raman散射研究
期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2000, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 169
马智训
;
廖显伯
;
孔光临
;
褚君浩
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
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