GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为

	GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
	刘超
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:6 页码:1149-1153
中文摘要	在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品，并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为．用Raman，DCXRD，RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征．分析结果表明
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16965]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘超. GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为[J]. 半导体学报,2005,26(6):1149-1153.
APA	刘超.(2005).GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为.半导体学报,26(6),1149-1153.
MLA	刘超."GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为".半导体学报 26.6(2005):1149-1153.