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采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/07/17
ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1334-1337
作者:  王晓峰
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533
作者:  刘喆;  魏同波;  段瑞飞
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23
MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 494-497
冉军学; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
收藏  |  浏览/下载：132/3  |  提交时间：2010/11/23
Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善 期刊论文
材料研究学报, 2000, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 215
作者:  成步文
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
GaN材料的GSMBE生长 期刊论文
高技术通讯, 1997, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 1
王晓亮; 孙殿照; 李晓兵; 黄运衡; 朱世荣; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23
用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 153
黄大定; 秦复光; 姚振钰; 刘志凯; 任治璋; 林兰英; 高维滨; 任庆余
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23
用GSMBE法生长匹配型GaInAsP/InP材料及量子阱、面发射激发器结构的研究 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 5, 页码: 339
林世鸣
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23

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