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科研机构
湖南大学 [30]
内容类型
期刊论文 [30]
发表日期
2019 [16]
2018 [4]
2016 [3]
2015 [1]
2010 [1]
2008 [3]
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85
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Schottky Barrier‐Controlled Black Phosphorus/Perovskite Phototransistors with Ultrahigh Sensitivity and Fast Response
期刊论文
Small, 2019, 卷号: Vol.15 No.25
作者:
Xuming Zou
;
Yuanzhe Li
;
Guanqi Tang
;
Peng You
;
Feng Yan
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2019/12/13
black phosphorus
fast response
perovskites
phototransistors
ultrahigh sensitivity
van der Waals epitaxial growth of ultrathin metallic NiSe nanosheets on WSe as high performance contacts for WSe transistors
期刊论文
Nano Research, 2019, 卷号: Vol.12 No.7, 页码: 1683-1689
作者:
Bei Zhao
;
Weiqi Dang
;
Xiangdong Yang
;
Jia Li
;
Haihong Bao
收藏
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2019/12/13
in situ growth
nonlayered NiSe nanosheets
Schottky barrier
metal-semiconductor junctions
chemical vapor deposition
Schottky Barrier-Controlled Black Phosphorus/Perovskite Phototransistors with Ultrahigh Sensitivity and Fast Response
期刊论文
Small, 2019
作者:
Zou, Xuming
;
Li, Yuanzhe
;
Tang, Guanqi
;
You, Peng
;
Yan, Feng
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/13
Tunable Schottky barrier width and enormously enhanced photoresponsivity in Sb doped SnS2 monolayer
期刊论文
Nano Research, 2019, 卷号: Vol.12 No.2, 页码: 463-468
作者:
Liu, Junchi
;
Liu, Xiao
;
Chen, Zhuojun
;
Miao, Lili
;
Liu, Xingqiang
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/12/13
Tunable Schottky barrier width and enormously enhanced photoresponsivity in Sb doped SnS2 monolayer
期刊论文
Nano Research, 2019, 卷号: Vol.12 No.2, 页码: 463-468
作者:
Liu, Junchi
;
Liu, Xiao
;
Chen, Zhuojun
;
Miao, Lili
;
Liu, Xingqiang
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/13
Schottky Barrier-Controlled Black Phosphorus/Perovskite Phototransistors with Ultrahigh Sensitivity and Fast Response.
期刊论文
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2019, 页码: e1901004
作者:
Xuming Zou
;
Yuanzhe Li
;
Guanqi Tang
;
Peng You
;
Feng Yan
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/17
black phosphorus
fast response
perovskites
phototransistors
ultrahigh sensitivity
High-performance quasi-vertical GaN Schottky diode with low turn-on voltage.
期刊论文
Superlattices & Microstructures, 2019, 卷号: Vol.125, 页码: 295-301
作者:
Bian, Zhao-Ke
;
Zhou, Hong
;
Xu, Sheng-Rui
;
Zhang, Tao
;
Dang, Kui
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/12/17
SCHOTTKY-barrier
diodes
*GALLIUM
nitride
*GALLIUM
compounds
*DISLOCATIONS
in
crystals
*CRYSTAL
defects
Investigation of electrical inhomogeneity in ZnO varistor ceramics based on electronic relaxations.
期刊论文
Ceramics International, 2019, 卷号: Vol.45 No.1, 页码: 1110-1114
作者:
Huang, Yuwei
;
Wu, Kangning
;
Tang, Zhuang
;
Xin, Lei
;
Zhang, Lei
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/17
ZINC
oxide
*VARISTORS
*MICROSTRUCTURE
*PARTICLE
size
distribution
*SCHOTTKY
barrier
Tunable Schottky barrier width and enormously enhanced photo-responsivity in Sb doped SnS2 monolayer
期刊论文
纳米研究(英文版), 2019, 卷号: 第12卷 第2期, 页码: 463-468
作者:
Junchi Liu
;
Xiao Liu
;
Zhuojun Chen
;
Lili Miao
;
Xingqiang Liu
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/13
two-dimensional
doping
Schottky
barrier
width
SnS2
optoelectronics
Enhancement of Negative Differential Mobility Effect in Recessed Barrier Layer AlGaN/GaN HEMT for Terahertz Applications
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1236-1242
作者:
Hongliang Zhao
;
Lin-An Yang
;
Hao Zou
;
Xiao-hua Ma
;
Yue Hao
收藏
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浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2019/12/17
HEMTs
Wide band gap semiconductors
Aluminum gallium nitride
Logic gates
Oscillators
Mathematical model
Schottky diodes
AlGaN/GaN
electron domain
high-electron mobility transistor (HEMT)
recessed barrier layer (RBL)
terahertz
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