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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Threshold Voltage Characteristics for Silicon Nanowire Field-Effect Transistor With a Double-Layer Gate Structure 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 771-776 作者:  Hongguan Yang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/13 Logic  gates  Threshold  voltage  Silicon  MOSFET  Transconductance  Nanoscale  devices  Double-layer  gate  structure  MOS  devices  short-channel  effect  silicon  nanowire  (Si-NW)  threshold  voltage  characteristics   Threshold Voltage Characteristics for Silicon Nanowire Field-Effect Transistor With a Double-Layer Gate Structure 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 771-776 作者:  Yang, HG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/17 Double-layer gate structure  MOS devices  short-channel effect  silicon nanowire (Si-NW)  threshold voltage characteristics   Threshold Voltage Characteristics for Silicon Nanowire Field-Effect Transistor With a Double-Layer Gate Structure 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018 作者:  Yang, Hongguan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26