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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Two-dimensional analytical model for asymmetric dual-gate tunnel FETs 期刊论文 Japanese Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: Vol.56 No.1, 页码: 014301 作者:  Zhang,Yong Feng;  Guan,Bang Gui;  Xu,Hui Fang;  Dai,Yue Hua 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/22 COMPACT ANALYTICAL-MODEL  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  2-D ANALYTICAL-MODEL  DRAIN CURRENT MODEL  THRESHOLD VOLTAGE  SUBTHRESHOLD REGION  TFET  PERFORMANCE  BARRIER  SCALABILITY   A 2-D analytical potential model for the oxide layer and space charge region of MOSFETs in subthreshold 期刊论文 Tien Tzu Hsueh Pao/Acta Electronica Sinica, 2013, 卷号: Vol.41 No.11, 页码: 2237-2241 作者:  Xu,Chun-Xia;  Wang,Bao-Tong;  Han,Ming-Jun;  Wang,Min;  Ke,Dao-Ming 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/24