×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
安徽大学 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [2]
2009 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
专题:安徽大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Advancements in organic nonvolatile memory devices
期刊论文
Chinese Science Bulletin, 2011, 卷号: Vol.56 No.30, 页码: 3178-3190
作者:
Dai,YH
;
Li,DM
;
Ji,ZY
;
Shang,LW
;
Liu,M
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/04/22
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
NEGATIVE-DIFFERENTIAL-RESISTANCE
POLYMERIC GATE ELECTRET
COMPLEX THIN-FILM
BISTABLE DEVICES
NANOIMPRINT LITHOGRAPHY
MULTILEVEL CONDUCTANCE
CONJUGATED POLYMER
SOLAR-CELLS
HALF-PITCH
Organic Programmable Resistance Memory Device Based on Au/Alq(3)/gold-nanoparticle/Alq(3)/Al Structure
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2011, 卷号: Vol.32 No.8, 页码: 1140-1142
作者:
Ji,ZY
;
Wang,H
;
Shang,LW
;
Liu,M
;
Lu,CY
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/04/22
BISTABLE MEMORY
BISTABILITY
TRANSISTORS
MECHANISM
CIRCUITS
FILMS
Bistable resistance switching of Cu/Ti:ZrO2/Pt for nonvolatile memory application
期刊论文
ECS Transactions, 2009, 卷号: Vol.18 No.1Part1, 页码: 49-54
作者:
Chen,Junning
;
Liu,Ming
;
Wang,Qin
;
Liu,Qi
;
Long,Shibing
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/04/22
Bistable resistance switching of Cu/Ti:ZrO2/Pt for Nonvolatile memory application
会议论文
上海, 0000-00-00 00:00:00
作者:
Shibing Long
;
Qi Liu
;
Sen Zhang
;
Junning Chen
;
Ming Liu
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/04/22
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace