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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effective Passivation and Tunneling Hybrid a-SiOx(In) Layer in ITO/n-Si Heterojunction Photovoltaic Device 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, 卷号: 9, 页码: 17566-17576 作者:  Gao, Ming[1];  Wan, Yazhou[2];  Li, Yong[3];  Han, Baichao[4];  Song, Wenlei[5] 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/24 ternary hybrid interface layer  quasi-SIS heterojunction solar cell  passivated hole-selective contacts  hole tunneling  inversion layer   Realization of both high efficiency and quantum tunneling in QM-SIS solar cells 会议论文 MATERIALS TODAY-PROCEEDINGS, 2016-01-01 作者:  Ma, Z. Q.[1];  Du, H. W.[2];  Yang, J.[3];  Gao, M.[4];  Chen, S. M.[5] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/26 Ternary compound buffer layer  SIS heterojunction  Carrier tunneling  Solar cell   A novel ITO/AZO/SiO2/p-Si frame SIS heterojunction fabricated by magnetron sputtering 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2013, 卷号: 581, 页码: 28-34 作者:  He, Bo[1];  Wang, HongZhi[2];  Li, YaoGang[3];  Ma, ZhongQuan[4];  Xu, Jing[5] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/30 Indium tin oxide (ITO)  Al-doped ZnO (AZO)  Magnetron sputtering  SIS heterojunction  Current-voltage (I-V) characteristics   Structural, electrical and optical properties of AZO/SiO2/p-Si SIS heterojunction prepared by magnetron sputtering 期刊论文 OPTICA APPLICATA, 2010, 卷号: 40, 页码: 15-24 作者:  Bo, He[1];  Ma, Zhong Quan[2];  Jing, Xu[3];  Lei, Zhao[4];  Sheng, Zha Ngnan[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/30 Al-doped ZnO (AZO)  sputtering  SIS heterojunction  current-voltage (I-V) characteristics