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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2006, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 792-797 Zhang, EX; Qian, C; Zhang, ZX; Lin, CL; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 IMPLANTING NITROGEN  RADIATION RESPONSE  THERMAL OXIDES  SIMOX  CHARGE  ELECTRON  OXYGEN  HOLE  TRANSISTORS  TECHNOLOGY   Silicon-on-insulating multi-layers for total-dose irradiation hardness 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 1600-1603 Zhang, EX; Yi, WB; Liu, XH; Chen, M; Liu, ZL; Xi, W 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 IMPLANTATION  OXIDES  SIMOX   Effect of implantation energy on the microstructure evolution of low dose separation of implanted oxygen wafers 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2001, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 337-343 Chen, M; Chen, J; Zheng, W; Li, L; Mu, HC; Lin, ZX; Yu, YH; Wang, X; Wang, GY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-IMPLANTATION  LAYER FORMATION  SIMOX  SILICON