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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of preparing process on total-dose radiation response of high-k Hf-based gate dielectrics 期刊论文 THIN SOLID FILMS, 2008, 卷号: 517, 期号: 1, 页码: 465-467 Song, ZR; Cheng, XH; Zhang, EX; Xing, YM; Yu, YH; Zhang, ZX; Wang, X; Shen, DS 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 BORON PENETRATION  TRANSISTORS  CHARGE  SI   Influence of nitrogen element on total-dose radiation response of high-k Hf-based dielectric films 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2007, 卷号: 257, 页码: 501-504 Song, ZR; Cheng, XH; Zhang, EX; Xing, YM; Shen, QW; Yu, YH; Zhang, ZX; Wang, X; Shen, DS 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 GATE DIELECTRICS  BORON PENETRATION  TRANSISTORS  CHARGE  SI