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| 退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用 期刊论文
红外与激光工程, 2012, 期号: 2, 页码: 279-283
邓洪海; 魏鹏; 朱耀明; 李淘; 夏辉; 邵秀梅; 李雪; 缪国庆; 张永刚; 龚海梅
  收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2013/02/22
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| 实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101950723A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19
陈静; 伍青青; 罗杰馨; 肖德元; 王曦
收藏 | 浏览/下载：37/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916726A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
陈静; 罗杰馨; 伍青青; 肖德元; 王曦
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| InAs/GaSb II型超晶格红外探测器材料分子束外延生长研究 学位论文
硕士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009
李健
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| ZnO 压电薄膜谐振器及BYFO 多铁体研究 学位论文
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2007
言智
收藏 | 浏览/下载：51/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 11
孙浩; 齐鸣; 徐安怀; 艾立鹍; 朱福英
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 一种含隧道结的垂直腔型光电子器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1780004, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
吴惠桢; 黄占超; 劳燕锋; 刘成; 齐鸣; 封松林
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| InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究 会议论文
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2006
齐鸣; 徐安怀; 艾立鹍; 孙浩; 朱福英
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/01/18
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| 射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光 期刊论文
发光学报, 2006, 期号: 06
隋妍萍; 于广辉; 孟胜; 雷本亮; 王笑龙; 王新中; 齐鸣
收藏 | 浏览/下载：29/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料 成果
鉴定: 无, 2005
齐鸣; 徐安怀; 陈晓杰; 朱福英; 艾立鹍; 李爱珍; 李存才; 胡建
收藏 | 浏览/下载：37/0 | 提交时间：2013/04/12 |
