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| 退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用 期刊论文
红外与激光工程, 2012, 期号: 2, 页码: 279-283
邓洪海; 魏鹏; 朱耀明; 李淘; 夏辉; 邵秀梅; 李雪; 缪国庆; 张永刚; 龚海梅
  收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2013/02/22
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| SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009
陈超
收藏 | 浏览/下载：61/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 氢离子注入法提高InAsP/InP应变多量子阱发光特性(英文) 期刊论文
红外与毫米波学报, 2008, 期号: 04
曹萌; 吴惠桢; 劳燕峰; 曹春芳; 刘成
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 干法刻蚀和离子注入影响III-V族半导体量子阱发光特性研究 学位论文
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2007
曹萌
收藏 | 浏览/下载：125/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 纳米半导体薄膜材料加工测试平台(中科院) 成果
鉴定: 无, 2004
宋志棠; 封松林; 刘卫丽; 刘波; 林成鲁; 沈勤我; 林梓鑫; 张楷亮; 郭晓慧
收藏 | 浏览/下载：84/0 | 提交时间：2013/04/12 |
| 体Si和SOI上高k介质材料研究 学位论文
博士, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2003
章宁琳
收藏 | 浏览/下载：80/0 | 提交时间：2012/03/06 |
| MBE－GaAs／Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响 期刊论文
半导体学报, 1995, 期号: 06
胡雨生; 汪乐
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| 一种新的硅氧化方法——氟化氢增强氧化 期刊论文
半导体学报, 1988, 期号: 06
尤伟; 徐元森; 郑养鉥
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2012/03/29 |
