MBE－GaAs／Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响

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	MBE－GaAs／Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响
	胡雨生 ; 汪乐
刊名	半导体学报
	1995
期号	06
ISSN号	02534177
中文摘要	对于ＧａＡｓ／Ｓｉ材料由于晶格失配和热膨胀系数失配，外延时必然会出现大量的失配位错等缺陷进入外延层，为了更有效地消除或减弱由于以上二种失配所引入的失配位错等缺陷，本文采用高温快速热退火的方法，结合表面光伏（ＳＰＶ），微波光电导谱（ＭＰＣＳ），双晶衍射（ＤＣＲＤ）等测试手段在整个高温热退火区域寻求一个对具有一定ＧａＡｓ层厚度的ＧａＡｓ／Ｓｉ材料最佳热退火温度Ｔｏ，经此温度Ｔｏ快速热退火后，由ＳＰＶ，ＭＰＣＳ所测得的ＧａＡｓ外延层少子扩散长度Ｌｐ数值达最大，ＤＣＲＤ所测得双晶衍射半峰竞也明显变窄，各项指标均有
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104072]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	胡雨生,汪乐. MBE－GaAs／Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响[J]. 半导体学报,1995(06).
APA	胡雨生,&汪乐.(1995).MBE－GaAs／Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响.半导体学报(06).
MLA	胡雨生,et al."MBE－GaAs／Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响".半导体学报 .06(1995).