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上海微系统与信息技术... [5]
内容类型
学位论文 [3]
专利 [2]
发表日期
2010 [3]
2006 [1]
2005 [1]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101866874A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20
张苗
;
薛忠营
;
张波
;
魏星
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浏览/下载:115/0
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提交时间:2012/01/06
一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101866875A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20
张苗
;
薛忠营
;
张波
;
魏星
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/01/06
低温等离子体键合与新型高速衬底材料制备
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2010
马小波
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2012/03/06
低温等离子体键合
绝缘体上的硅(SOI)
绝缘体上锗硅(SGOI)
绝 缘体上的锗(GeOI)
应变硅(strained Si)
SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2006
狄增峰
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2012/03/06
SiGe
绝缘体上的硅(SOI)
绝缘体上的锗硅(SGOI)
应变硅
高K栅介质
等离子浸没式离子注入
自加热效应
SGOI材料的SIMOX制备技术研究
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2005
陈志君
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/06
掩盖注氧隔离技术
氧化增强注氧隔离技术
绝缘体上的锗硅
应变硅
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