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| 含有数字合金位错隔离层的大失配外延缓冲层结构及制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102254954A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
顾溢; 张永刚
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| 包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101814429A, 申请日期: 2010-08-25, 公开日期: 2010-08-25
顾溢; 张永刚
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| 基于太赫兹量子阱探测器的太赫兹量子级联激光器发射谱研究 期刊论文
物理学报, 2010, 期号: 04
谭智勇; 郭旭光; 曹俊诚; 黎华; 韩英军
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| 晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文) 期刊论文
红外与毫米波学报, 2010, 期号: 02
顾溢; 李成; 王凯; 李好斯白音; 李耀耀; 张永刚
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| InAs/GaSb II型超晶格红外探测器材料分子束外延生长研究 学位论文
硕士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009
李健
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| 基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析(英文) 期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 期号: 05
梅斌; 徐刚毅; 李爱珍; 李华; 李耀耀; 魏林
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| 硅基微结构上的GaN外延生长研究 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2008
王曦
收藏 | 浏览/下载：48/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 新型硅基GaN外延材料的热应力模拟 会议论文
第六届中国功能材料及其应用学术会议, 2007
王曦; 孙佳胤; 武爱民; 陈静; 王曦
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| 基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 期号: 04
孙佳胤; 陈静; 王曦; 王建峰; 刘卫; 朱建军; 杨辉
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2012/01/06
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| 厚膜氮化镓材料的HVPE生长 会议论文
第11届全国发光学学术会议论文摘要集, 2007
于广辉; 林朝通; 王新中; 曹明霞; 雷本亮; 齐鸣; 李爱珍
收藏 | 浏览/下载：85/0 | 提交时间：2012/01/18 |
