新型硅基GaN外延材料的热应力模拟

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	新型硅基GaN外延材料的热应力模拟
	王曦 ; 孙佳胤 ; 武爱民 ; 陈静 ; 王曦
	2007
会议名称	第六届中国功能材料及其应用学术会议
会议日期	2007
关键词	氮化镓宽禁带半导体材料 SOI衬底热膨胀系数反应离子刻蚀
中文摘要	采用有限元方法,通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底,能有效减少异质外延的晶格失配,但是单从热失配的角度,由于引入了热膨胀系数(CET)更小的埋层SiO2,SOI衬底会使得外延层热应力略有增大。为了降低外延层中的热应力,我们结合微机电系统(MEMS)的制造工艺,用深反应离子刻蚀(DRIE)的方法,借助于SOI材料自停止刻蚀的优势,将衬底硅和埋氧去除,使得SOI的超薄顶层硅部分悬空,形成一种
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6445659.aspx
会议录	第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55726]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王曦,孙佳胤,武爱民,等. 新型硅基GaN外延材料的热应力模拟[C]. 见:第六届中国功能材料及其应用学术会议. 2007.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6445659.aspx.