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| 高干扰环境下的传感网周界入侵行为识别方法研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2012 李隽颖
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| 深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2012 刘张李
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2013/04/24
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| 用于器件级真空封装的MEMS加速度传感器的设计与制作 期刊论文 传感器与微系统, 2012, 期号: 12, 页码: 107-110+113 蔡梅妮; 林友玲; 车录锋; 苏荣涛; 周晓峰; 黎晓林
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| 低温玻璃浆料圆片级真空封装的研究 期刊论文 传感器与微系统, 2012, 期号: 1, 页码: 62-64 王伟; 熊斌; 王跃林; 马颖蕾
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2013/02/22
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| 一种链式相变存储器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157197A, 申请日期: 2011-08-17, 公开日期: 2011-08-17 蔡道林; 陈后鹏; 宋志棠
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2012/01/06 |
| 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130176A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉
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| SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130012A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉
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| 用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102104048A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 宁冰旭; 薛忠营; 肖德元; 王曦
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| 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101986435A, 申请日期: 2011-03-16, 公开日期: 2011-03-16 肖德元; 王曦; 黄晓橹; 陈静
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| 实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101950723A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19 陈静; 伍青青; 罗杰馨; 肖德元; 王曦
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