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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 相变存储器加热电极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101567420, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28 冯高明; 宋志棠; 刘波; 封松林; 万旭东; 吴关平 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/01/06 以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101521177, 申请日期: 2009-09-02, 公开日期: 2009-09-02 宋志棠; 吕士龙 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 一种纳米结构套刻的模板设计和实现方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101364043, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-02-11 刘彦伯; 钮晓鸣; 宋志棠; 闵国全; 周伟民; 李小丽; 刘波; 张静; 万永中; 封松林 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2012/01/06 一种纳米级相变存储单元阵列制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101364567, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-02-11 刘彦伯; 钮晓鸣; 宋志棠; 闵国全; 周伟民; 李小丽; 刘波; 万永中; 封松林 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2012/01/06 一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101364564, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-02-11 刘彦伯; 钮晓鸣; 宋志棠; 闵国全; 刘波; 周伟民; 李小丽; 万永中; 封松林 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06 相变存储器加热电极与相变材料刻蚀工艺研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009 冯高明 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2012/03/06 相变存储器  　Ge2Sb2Te5  　纳米电极  　干法刻蚀  　工艺集成　   相变存储器存储单元及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1933207, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 宋志棠; 刘波; 封松林; 陈邦明 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/01/06 电子束曝光中套刻工艺的实现方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1912747, 申请日期: 2007-02-14, 公开日期: 2007-02-14 宋志棠; 吕士龙; 刘波; 封松林 收藏  |  浏览/下载：228/0  |  提交时间：2012/01/06 最小尺寸为纳米量级图形的印刻法制备工艺 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1554987, 申请日期: 2004-12-15, 公开日期: 2004-12-15 宋志棠; 张挺; 夏吉林; 封松林; 陈宝明 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/01/06